Resumen

En este trabajo se investigó la sensibilidad de los MOSFETs de canal p de puerta de Al tras la irradiación con haces de rayos X de 200 y 280 kV, así como la irradiación con rayos gamma de 60Co en un rango de dosis de 1 a 5 Gy. La respuesta seguida se basó en el desplazamiento del voltaje umbral y se estudió en función de la dosis absorbida. Se demostró que el cambio más significativo en el voltaje umbral se produjo en el caso de la irradiación del MOSFET en campos de rayos X de 200 kV y cuando el voltaje de puerta era de 5 V. Para aplicaciones prácticas en dosimetría, la sensibilidad de los MOSFET investigados también fue satisfactoria para una tensión de tubo de rayos X de 280 kV y para rayos gamma. En este trabajo también se analizaron los posibles procesos en el óxido de puerta causados por la radiación y su impacto en la respuesta de los MOSFET.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:sensibilidad de los mosfets de canal, voltaje del tubo de rayos, desplazamiento del voltaje umbral, mosfets, papel, respuesta, irradiación de mosfets, posibles procesos, rango de dosis, rayos gamma
• Keywords:channel mosfets sensitivity, ray tube voltage, threshold voltage shift, mosfets, paper, response, mosfet irradiation, possible processes, dose range, gamma rays