Resumen

En este artículo se describe la mejora de la sensibilización de puntos cuánticos semiconductores (QD) sobre nanorods de óxido de zinc (ZnO) mediada por la luz ultravioleta, lo que mejora la eficacia de la transferencia de carga a través de la interfaz QD-ZnO. La mejora se debió principalmente a la reducción de la resistencia interfacial conseguida mediante la incorporación de defectos superficiales inducidos por luz UV en los nanorods de óxido de zinc. Los defectos fotoinducidos se caracterizaron mediante XPS, FTIR y mediciones del ángulo de contacto con el agua, que demostraron un aumento de los defectos superficiales (vacantes de oxígeno) en el cristal de ZnO, lo que condujo a un aumento de los sitios activos disponibles para la fijación de los QD. Como prueba de concepto, se fabricó una célula solar modelo de QD de teluro de cadmio (CdTe) utilizando los fotoelectrodos de ZnO diseñados con defectos, que mostraron un aumento de ∼10% en la fototensión y una mejora de ∼66% en la fotocorriente en comparación con los fotoelectrodos sin defectos. La mejora en la fotocorriente se atribuyó principalmente a la mejora en la eficiencia de transferencia de carga a través de la interfaz QD-ZnO rica en defectos, que fue indicada por el mayor apagado de la fotoluminiscencia CdTe QD tras la sensibilización.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:eficiencia de transferencia de carga, defecto, mejora, aumento, interfaz zno, defectos superficiales, medidas del ángulo de contacto con el agua, fotoluminiscencia cdte qd, modelo teluro de cadmio, puntos cuánticos semiconductores
• Keywords:charge transfer efficiency, defect, improvement, increase, zno interface, surface defects, water contact angle measurements, cdte qd photoluminescence, model cadmium telluride, semiconductor quantum dots