Biblioteca122.294 documentos en línea

Artículo

Computer Simulation of Metal Ions Transport to Uneven Substrates during Ionized Plasma Vapour DepositionSimulación por ordenador del transporte de iones metálicos a sustratos irregulares durante la deposición de vapor de plasma ionizado

Resumen

Presentamos un estudio computacional de los procesos que tienen lugar en una región de vaina formada cerca de un sustrato desigual con sesgo negativo durante la deposición de vapor de plasma ionizado. Los átomos metálicos pulverizados se ionizan en su camino hacia el sustrato y se aceleran en la vaina cerca del sustrato. Son capaces de penetrar en las estructuras de alta relación de aspecto, por ejemplo, las zanjas, que pueden ser, por lo tanto, recubiertas eficazmente. La principal técnica utilizada fue una simulación bidimensional de partículas. Los resultados de nuestro modelo predicen la energía y las distribuciones angulares de los iones que inciden en condiciones de baja presión, que son características de este método y en las que los modelos continuos típicos fallan debido a supuestos no cumplidos. Las propiedades del plasma de entrada se calcularon mediante un modelo global "cero dimensional" que tenía en cuenta más procesos físicos importantes a escala de toda la cámara del magnetrón. Los parámetros de salida, como el potencial electrostático, la energía de los iones y los flujos de iones, se calcularon para una amplia gama de condiciones (densidad de electrones y sesgo del sustrato) para mostrar la influencia de estas condiciones en los fenómenos observados, la penetración de la vaina dentro de la zanja, la desaceleración de los iones de argón y cobre dentro de la zanja y los máximos locales de los flujos de iones cerca de la apertura de la zanja.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento