Resumen

La deposición química para la fabricación de interconexiones de cobre (Cu) de circuitos integrados ha llamado la atención debido a su baja temperatura de procesamiento, alta selectividad de deposición y alta cobertura. En este trabajo se realizan simulaciones tridimensionales por ordenador de las propiedades de crecimiento cualitativo de las partículas de Cu y simulaciones bidimensionales de las propiedades de relleno de zanjas. El modelo matemático empleado en el estudio es una ecuación de reacción-difusión. Se propone una discretización implícita por diferencias finitas con un método de Gauss-Seidel rojo-negro como solucionador para resolver la ecuación de reacción-difusión. Las propiedades de deposición simuladas coinciden con las observadas en la experimentación. También se discuten alternativas para mejorar las propiedades de deposición.

• Materias:Análisis Matemático Álgebra Ingeniería Matemática aplicada Lógica matemática
• Subjects:Mathematical Analysis Algebra Engineering Applied Mathematics Mathematical logic
• Palabras claves:ecuación de difusión, discretización implícita por diferencias finitas, simulaciones dimensionales por ordenador, alta selectividad de deposición, baja temperatura de procesado, propiedades cualitativas de crecimiento, propiedades simuladas de deposición, reacción, partículas de cu, deposición electrolítica
• Keywords:diffusion equation, implicit finite difference discretization, dimensional computer simulations, high deposition selectivity, low processing temperature, qualitative growth properties, simulated deposition properties, reaction, cu particles, electroless deposition