Resumen

Se propone un novedoso diseño de n-electrodo con agujeros para su aplicación en diodos emisores de luz (LED) de Thin-GaN. La influencia del n-electrodo con agujeros en las características térmicas y eléctricas de un chip LED de Thin-GaN se investiga mediante una simulación numérica tridimensional. Las variaciones en la densidad de corriente y las distribuciones de temperatura en la capa activa de los n-electrodos con y sin agujeros son muy pequeñas. Los porcentajes de salida de luz de estos agujeros son 29,8 y 38,5en los casos con agujeros de 5 μm y 10 μm, respectivamente; la longitud lateral del n-electrodo (L) es de 200 μm. Además, el porcentaje aumenta con el tamaño del n-electrodo. Así, la salida de luz puede aumentar 2,45 veces utilizando el diseño de n-electrodo con agujeros. También puede mejorarse la eficiencia del tapón de pared (WPE) del 2,3% al 5,7%. Los tamaños más adecuados del n-electrodo y los agujeros se determinan mediante el análisis WPE.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:electrodo, agujeros, salida de luz, agujeros de μm, chip gan led, simulación numérica dimensional, luz gan, análisis wpe, capa activa, n adecuado.
• Keywords:electrode, holes, light output, μm holes, gan led chip, dimensional numerical simulation, gan light, wpe analysis, active layer, appropriate n