Resumen

Con el fin de aplicar las tecnologías de micro-nano-sistemas electro-mecánicos de radiofrecuencia (MEMS/NEMS) para producir interruptores de microondas en miniatura, de alto aislamiento, baja pérdida de inserción, buenas características lineales y bajo consumo de energía, en este artículo presentamos un novedoso interruptor NEMS a nanoescala mediante el análisis de la electricidad y la mecánica del interruptor de RF. Los datos medidos muestran una tensión de inserción de 24,1 V y un buen rendimiento de RF con una pérdida de inserción inferior a -10 dB a 0 GHz en estado "activado" y un aislamiento superior a -40 dB a 0-40 GHz en estado "desactivado", lo que indica que el interruptor es adecuado para aplicaciones de 0-40 GHz. Nuestro análisis demuestra que el conmutador NEMS no sólo puede funcionar en bandas de frecuencia anchas, sino que también tiene mejores prestaciones de aislamiento en frecuencias más bajas, ampliando así la aplicación a la banda inferior. Para modelar y analizar el conmutador de nanomáquinas se utiliza por primera vez el dominio temporal multirresolución (MRTD) basado en ondículas Haar con una función de escala compacta. La principal ventaja de los algoritmos MRTD es su capacidad para desarrollar rejillas adaptables en tiempo y espacio real mediante la umbralización eficiente de los coeficientes wavelet. El error entre los resultados medidos y los calculados es inferior al 5%, lo que indica que el dominio temporal multiresolución basado en las ondículas de Haar es adecuado para simular el interruptor de contacto de la nanomáquina.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:dominio del tiempo multiresolución, conmutadores de microondas de bajo consumo, microondas de radiofrecuencia, mejor rendimiento de aislamiento, buen rendimiento de rf, buena característica lineal, baja pérdida de inserción, nuevo conmutador nems, bandas de frecuencia anchas, ghz
• Keywords:multiresolution time domain, low power consumption microwave switches, radio frequency micro, better isolation performance, good rf performance, good linear characteristic, low insertion loss, novel nems switch, wide frequency bands, ghz