Resumen

En este trabajo se investigan las propiedades de conductividad térmica de las aleaciones Si1-xGex y Si0.8Ge0Sn2y. Se emplea la dinámica molecular de equilibrio (EMD) para calcular las conductividades térmicas de las aleaciones Si1-xGex cuando x es diferente a temperaturas comprendidas entre 100 K y 1100 K. A continuación, se utiliza la dinámica molecular de no-equilibrio (NEMD) para estudiar las relaciones entre y y las conductividades térmicas de las aleaciones Si0.8Ge0.2Sn2y. En este trabajo, los átomos de Ge se dopan aleatoriamente, y los átomos de estaño se dopan de tres formas de distribución: dopaje aleatorio, dopaje completo y dopaje puente. Los resultados muestran que las conductividades térmicas de las aleaciones Si1-xGex disminuyen primero, luego aumentan con el incremento de x, y alcanzan el valor más bajo cuando x cambia de 0,4 a 0,5. Independientemente del valor de x, las conductividades térmicas de las aleaciones Si1-xGex disminuyen con el aumento de la temperatura. Las conductividades térmicas de las aleaciones Si0,8Ge0,2 pueden inhibirse significativamente dopando un número adecuado de átomos de Sn. Para el modelo de dopaje aleatorio, las conductividades térmicas de las aleaciones Si0,8Ge0,2Sny se aproximan al nivel más bajo cuando y es 0,10. Tanto si se trata de dopaje completo como de dopaje puente, las conductividades térmicas disminuyen con el aumento del número de capas dopadas. Además, en el modelo de dopaje puente, tanto el número de átomos de Sn en la dirección [001] como la distancia de penetración de los átomos de Sn influyen mucho en las conductividades térmicas. Las conductividades térmicas de las aleaciones Si0,8Ge0,2Sny están asociadas positivamente con el número de átomos de Sn en la dirección [001] y la distancia de penetración de los átomos de Sn.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:conductividades térmicas, átomos de sn, aleaciones si1-xgex, número, dopaje puente, dopaje completo, dinámica molecular, distancia de penetración, modelo de dopaje puente, modelo de dopaje aleatorio
• Keywords:thermal conductivities, sn atoms, si1−xgex alloys, number, bridge doping, complete doping, molecular dynamics, penetration distance, bridge doping model, random doping model