Resumen

El presente trabajo muestra un nuevo método para conseguir de forma rentable la síntesis de grafeno mediante Deposición Química en Fase Vapor (CVD). A diferencia de la mayoría de los procesos habituales, en los que se utilizan precursores como argón, H2, CH4, y lámina de cobre de alta pureza, el método propuesto ha sustituido los anteriores por N2, N2 (90%) :H2 (10%), C2H2, y cobre electrolítico (grado técnico) ya que el uso de precursores industrializados ayuda a reducir los costes de producción. Por otro lado, se modificó el proceso, pasando de un sistema de flujo continuo con vacío a uno discontinuo a presión atmosférica, eliminando el uso de la bomba de vacío. Además, esta modificación optimizó el consumo de gases, lo que redujo los residuos y la emisión de gases contaminantes a la atmósfera. Las películas de grafeno se cultivaron bajo diferentes caudales de gas y temperaturas. A continuación, el material obtenido se caracterizó por TEM, espectroscopia Raman y AFM, confirmando la presencia de pocas capas de grafeno. En resumen, el tiempo de crecimiento se redujo a seis minutos con acetileno como precursor de carbono a 1000°C y a presión atmosférica, con un caudal de 30 sccm. Por último, las condiciones descritas pueden utilizarse para la síntesis de películas de grafeno de buena calidad en aplicaciones industriales.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:presión atmosférica, películas de grafeno de buena calidad, lámina de cobre de alta pureza, deposición química de vapor, sistema de flujo continuo, diferentes caudales de gas, pocas capas de grafeno, procesos más usuales, síntesis, uso
• Keywords:atmospheric pressure, good quality graphene films, high purity copper foil, chemical vapor deposition, continuous flow system, different gas flowrates, few graphene layers, most usual processes, synthesis, use