Resumen

En este trabajo se ha preparado una heterounión basada en nanoestructuras de NiO/n TiO2 de tipo p sobre un sustrato de vidrio de óxido de estaño dopado con flúor (FTO) mediante un método hidrotérmico. Se utilizaron técnicas de microscopía electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X para la caracterización morfológica y de matrices cristalinas. La espectroscopia de fotoelectrones de rayos X se empleó para determinar el desplazamiento de la banda de valencia (VBO) de la heterounión NiO/TiO2 preparada sobre sustrato de vidrio FTO. Se utilizaron los niveles centrales de Ni 2p y Ti 2p para alinear el desplazamiento de la banda de valencia de la heterounión NiO/n TiO2 de tipo p. Se descubrió que el desplazamiento de la banda de valencia era del orden de 0,5 a 0,5. El desplazamiento de la banda de valencia resultó ser ∼0,41 eV y la banda de conducción se calculó en ∼0,91 eV. La relación entre el desplazamiento de la banda de conducción y el de la banda de valencia resultó ser de 2,21.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:desplazamiento de banda, valencia, banda de conducción, tipo tio2, sustrato de vidrio fto, técnicas de difracción de rayos, espectroscopia fotoelectrónica de rayos, heterounión tipo tio2, nanoestructuras tipo tio2, ni 2p
• Keywords:band offset, valence, conduction band, type nio, fto glass substrate, ray diffraction techniques, ray photoelectron spectroscopy, type tio2 heterojunction, type tio2 nanostructures, ni 2p