Recientemente, se ha investigado intensamente la fabricación de dispositivos de memoria no volátil basados en nanopartículas de oro. En este trabajo, informamos sobre el diseño y la síntesis de un nuevo quatertiofeno semiconductor que incorpora el grupo hexil tiol (4TT). Se prepararon nanopartículas de oro recubiertas con 4TT (4TTG) en un sistema bifásico líquido-líquido. Estas nanopartículas tienen diámetros comprendidos entre 2 y 6 nm y están bien dispersas en la matriz huésped de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT). La interacción intermolecular entre la 4TT y el P3HT podría mejorar el transporte de carga entre las nanopartículas de oro y el P3HT. La curva de transferencia del dispositivo de memoria transistorizado fabricado con la película híbrida 4TTG/P3HT presentaba una histéresis de corriente significativa, probablemente derivada de la barrera de nivel de energía en la interfaz 4TTG/P3HT. Además, la estructura de resistencia de memoria polimérica con una capa activa formada por 4TTG y P3HT mostró un notable comportamiento eléctrico biestable.
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