Presentamos una tecnología de depósito de bajo coste, sin máscaras y con un desperdicio reducido de material, que utiliza lodos semiconductores y soluciones dieléctricas transparentes, directamente imprimibles y estables en el aire. Hemos demostrado un proceso emergente para fabricar transistores imprimibles con nanopartículas de ZnO como canal activo y matriz de poli(4-vinilfenol) (PVP) como dieléctrico de puerta, respectivamente, y los TFT de ZnO impresos por chorro de tinta han mostrado una movilidad de portador de 0,69 cm2/Vs y un voltaje umbral de 25,5 V. Sugerimos que los materiales imprimibles y la tecnología de impresión permiten el uso de pantallas flexibles de bajo coste totalmente impresas y otras aplicaciones electrónicas transparentes.
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