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Artículo

Synthesis of ZnO Nanoparticles to Fabricate a Mask-Free Thin-Film Transistor by Inkjet PrintingSíntesis de nanopartículas de ZnO para fabricar un transistor de capa fina sin máscara mediante impresión por chorro de tinta

Resumen

Presentamos una tecnología de depósito de bajo coste, sin máscaras y con un desperdicio reducido de material, que utiliza lodos semiconductores y soluciones dieléctricas transparentes, directamente imprimibles y estables en el aire. Hemos demostrado un proceso emergente para fabricar transistores imprimibles con nanopartículas de ZnO como canal activo y matriz de poli(4-vinilfenol) (PVP) como dieléctrico de puerta, respectivamente, y los TFT de ZnO impresos por chorro de tinta han mostrado una movilidad de portador de 0,69 cm2/Vs y un voltaje umbral de 25,5 V. Sugerimos que los materiales imprimibles y la tecnología de impresión permiten el uso de pantallas flexibles de bajo coste totalmente impresas y otras aplicaciones electrónicas transparentes.

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