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Synthesis of GaN Nanorods by a Solid-State ReactionSíntesis de nanorods de GaN mediante una reacción en estado sólido

Resumen

Se ha desarrollado una ruta de síntesis química económica y respetuosa con el medio ambiente para sintetizar nanorods de GaN wurtzita mediante la reacción de NaNH2 y los nanorods de GaOOH ortorrómbicos sintetizados en un autoclave de acero inoxidable a 600∘C. Las longitudes de los nanorods de GaN están en el rango de 400-600 nm y los diámetros son de unos 80-150 nm. Las longitudes de los nanorods de GaN están en el rango de 400-600 nm y los diámetros son de unos 80-150 nm. El proceso de transformación de los nanorods ortorrómbicos de GaOOH en nanorods wurtzíticos de GaN se investigó mediante difracción de rayos X (DRX) en polvo y microscopio electrónico de barrido por emisión de campo (FESEM), indicando que el producto de GaN conservaba esencialmente la misma morfología topológica básica en contraste con la del precursor de GaOOH. Se descubrió que el Ga2O3 romboédrico era el intermedio entre el precursor GaOOH ortorrómbico de partida y el producto final de GaN wurtzita. Las medidas de fotoluminiscencia revelan que los nanorods de GaN wurtzita mostraron una fuerte emisión azul.

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