Resumen

Se han preparado con éxito soluciones sólidas de Mg2 xSi0,7Sn0,3Sbm (0≤x≤0,2, m=0 ó 0,01) mediante aleación mecánica y prensado en caliente como ruta de síntesis en estado sólido. Todos los especímenes se identificaron como fases con estructura antifluorita y mostraron conducción de tipo n. La conductividad eléctrica de las soluciones sólidas con exceso de Mg mejoró debido al aumento de las concentraciones de electrones. Los valores absolutos del coeficiente Seebeck variaron sustancialmente con el dopado de Sb y el exceso de Mg, lo que se atribuyó al cambio en la concentración de portadores. La temperatura de inicio de la conducción bipolar aumentó con el dopaje de Sb y el exceso de Mg. La conductividad térmica más baja, de 1,3 W/mK, se obtuvo para Mg2Si0,7Sn0,3Sb0,01. La ZT máxima fue de 0,64 W/mK. Se alcanzó un ZT máximo de 0,64 a 723 K para Mg2.2Si0.7Sn0.3Sb0.01.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:dopaje con sb, exceso de mg, exceso de soluciones sólidas, conductividad térmica mínima, ruta de síntesis de estado, coeficiente seebeck, valores absolutos, estructura antifluorita, conducción bipolar, concentración de portadores
• Keywords:sb doping, excess mg, excess solid solutions, lowest thermal conductivity, state synthesis route, seebeck coefficient, absolute values, antifluorite structure, bipolar conduction, carrier concentration