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El dióxido de azufre, SO2, es uno de los subproductos de descomposición más importantes del hexafluoruro de azufre, SF6, bajo descarga parcial en aparatos GIS. Las prestaciones de detección de los sensores de gas semiconductores pueden mejorarse adaptando la morfología. Este artículo describe el método de síntesis, la caracterización estructural y las características de respuesta al SO2 de nanoestructuras jerárquicas de ZnO en forma de flor. Los nanoflujos jerárquicos de ZnO se prepararon con éxito mediante un método hidrotérmico fácil y sencillo y se caracterizaron por difracción de polvo de rayos X, microscopía electrónica de barrido, espectroscopia de dispersión de energía de rayos X y espectroscopia de fotoelectrones de rayos X, respectivamente. Se fabricó un sensor químico planar de gas y se analizaron sistemáticamente sus características de respuesta frente al SO2. Se midió que la temperatura óptima de funcionamiento del sensor fabricado era de unos 260°C, y las respuestas máximas correspondientes fueron de 16,72 y 26,14 a 30 y 60 ppm de SO2. Su concentración de gas saturado fue de 2000 ppm con un valor de respuesta de 67,41. Además, se observó una respuesta y recuperación rápidas (7 s y 8 s frente a 80 ppm de SO2) y una buena estabilidad. Todos los resultados indican que el sensor propuesto es un candidato prometedor para detectar el SO2, subproducto de la descomposición del SF6.
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