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Simple Synthesis and Growth Mechanism of Core/Shell CdSe/SiOx NanowiresSíntesis sencilla y mecanismo de crecimiento de nanocables de CdSe/SiOx con núcleo/caparazón

Resumen

Se sintetizaron nanocables de CdSe/SiOx con estructura de núcleo y concha sobre un sustrato de triángulo equilátero de Si (111) mediante un sencillo proceso de evaporación térmica de un solo paso. Las investigaciones SEM, TEM y XRD confirmaron la estructura de núcleo-cáscara; es decir, la zona del núcleo es CdSe monocristalino y la zona de la cáscara es una capa amorfa de SiOx y el núcleo de CdSe creció a lo largo de la dirección (001). El proceso de crecimiento en dos etapas explica el mecanismo de crecimiento de los nanohilos núcleo/cáscara. El sustrato de silicio del triángulo equilátero diseñado que proporciona la fuente de silicio es el factor clave para formar los nanocables core-shell, lo cual es significativo para la fabricación de nanocables-core revestidos con un sistema de sílice. El PL del producto estudiado a temperatura ambiente mostró dos bandas de emisión en torno a 715 y 560 nm, originadas por la transición de banda de los núcleos de CdSe y las envolturas amorfas de SiOx, respectivamente.

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