Resumen

Se sintetizaron películas delgadas de nanopartículas de Se35Te65-xGex (x= 0, 3, 6, 9,12) mediante el método de evaporación térmica. Se caracterizaron mediante difracción de rayos X (DRX), microscopio electrónico de barrido (MEB) y espectros de absorción y transmisión. Los resultados de la DRX muestran que estas películas son de naturaleza amorfa, mientras que las imágenes de SEM muestran nanopartículas con un tamaño medio de partícula en torno a los 30 nm. No se observan cambios significativos en la morfología de las películas depositadas al cambiar las concentraciones de Te y Ge. Los comportamientos ópticos de estas películas se han estudiado utilizando los espectros de absorción y transmisión en la región espectral 400-1100 nm. Se han obtenido los coeficientes de absorción y extinción y el índice de refracción y se han investigado con más detalle. También se determinaron los valores de la separación de banda óptica (Eg) y se comprobó que disminuyen de 0,83 a 0,69 eV al aumentar la concentración de Ge de 0 a 12. Los espectros de transmisión de las películas delgadas de nanopartículas de Se35Te65-xGex muestran una fuerte absorción a longitudes de onda inferiores a 500 nm y se vuelven muy transparentes a longitudes de onda superiores a 800 nm. No se observan cambios significativos en los espectros de transmisión al aumentar la concentración de Ge. Estos resultados podrían ser útiles para el desarrollo de discos ópticos y otros dispositivos semiconductores basados en estos nanocalcogenuros.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:espectros de transmisión, absorción, películas, cambios significativos, tamaño medio de las partículas, distancia entre bandas ópticas, otros dispositivos semiconductores, método de evaporación térmica, se35te65, concentración
• Keywords:transmission spectra, absorption, films, significant changes, average particle size, optical band gap, other semiconducting devices, thermal evaporation method, se35te65, concentration