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On the Origin of Light Emission in Silicon Rich Oxide Obtained by Low-Pressure Chemical Vapor DepositionSobre el origen de la emisión de luz en el óxido rico en silicio obtenido por deposición química en fase vapor a baja presión

Resumen

El óxido rico en silicio (SRO) se ha considerado un material que permite superar los inconvenientes del silicio para conseguir funciones ópticas. Para producirlo pueden utilizarse diversas técnicas, entre ellas el depósito químico en fase vapor a baja presión (LPCVD). En este trabajo se presenta una breve descripción de los estudios realizados y se discuten los resultados obtenidos sobre las propiedades electro-, catódicas- y de fotoluminiscencia del SRO preparado por LPCVD y recocido a 1.100°C. Los resultados experimentales nos llevan a aceptar que las propiedades de emisión de la SRO se deben a nanoaglomerados de estado de oxidación más que a nanocristales. El mecanismo de emisión es similar al decaimiento Donante-Aceptor en semiconductores, y se ha observado un amplio espectro de emisión, de 450 a 850 nm. Los resultados muestran que la emisión es función tanto del exceso de silicio en la película como de la energía de excitación. Como resultado, se pueden obtener emisiones de diferentes colores seleccionando la energía de excitación adecuada.

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Información del documento

  • Titulo:On the Origin of Light Emission in Silicon Rich Oxide Obtained by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition
  • Autor:M., Aceves-Mijares; A. A., González-Fernández; R., López-Estopier; A., Luna-López; D., Berman-Mendoza; A., Morales; C., Falcony; C., Domínguez; R., Murphy-Arteaga
  • Tipo:Artículo
  • Año:2012
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
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