Este documento describe la integración de la conmutación magnética inducida por campo (FIMS) y la conmutación asistida térmicamente (TAS) en memorias de acceso aleatorio magnéticas en el diseño de FPGA. La no volatilidad de estas últimas se logra a través del uso de uniones túnel magnéticas (MTJs) en la celda de MRAM. Un esquema de conmutación asistida térmicamente ayuda a reducir el consumo de energía durante la operación de escritura en comparación con el esquema de escritura en el dispositivo FIMS-MTJ. Además, la no volatilidad de un diseño basado en un esquema de escritura FIMS o TAS debería reducir tanto el consumo de energía como el tiempo de configuración requerido en cada encendido del circuito en comparación con las FPGA basadas en SRAM clásicas. Un micro-FPGA reconfigurable en tiempo real (RTR) que utiliza FIMS-MRAM o TAS-MRAM permite mecanismos de reconfiguración dinámica, al mismo tiempo que presenta una arquitectura de diseño
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