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On the Use of Magnetic RAMs in Field-Programmable Gate ArraysSobre el uso de las RAM magnéticas en las matrices de compuertas programables en campo.

Resumen

Este documento describe la integración de la conmutación magnética inducida por campo (FIMS) y la conmutación asistida térmicamente (TAS) en memorias de acceso aleatorio magnéticas en el diseño de FPGA. La no volatilidad de estas últimas se logra a través del uso de uniones túnel magnéticas (MTJs) en la celda de MRAM. Un esquema de conmutación asistida térmicamente ayuda a reducir el consumo de energía durante la operación de escritura en comparación con el esquema de escritura en el dispositivo FIMS-MTJ. Además, la no volatilidad de un diseño basado en un esquema de escritura FIMS o TAS debería reducir tanto el consumo de energía como el tiempo de configuración requerido en cada encendido del circuito en comparación con las FPGA basadas en SRAM clásicas. Un micro-FPGA reconfigurable en tiempo real (RTR) que utiliza FIMS-MRAM o TAS-MRAM permite mecanismos de reconfiguración dinámica, al mismo tiempo que presenta una arquitectura de diseño

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