Resumen

Se presenta el desarrollo del proceso de AlN/GaN MOS-HEMTs, junto con los problemas e inconvenientes relacionados con los procesos de fabricación. La tecnología desarrollada utiliza AlO crecido térmicamente como dieléctrico de compuerta y pasivación de superficie para los dispositivos. Se observó una mejora significativa en el rendimiento del dispositivo utilizando las siguientes técnicas: (1) optimización del contacto óhmico mediante un ataque húmedo de Al antes de la deposición del metal óhmico y (2) pasivación de la pared lateral de la mesa. El rendimiento en CC y RF de los dispositivos fabricados se presentará y discutirá en este documento.

• Materias:Circuitos de inductancia Circuitos de oscilador Circuito híbrido Voltaje Universal Sensor termoeléctrico
• Subjects:Inductance circuits Oscillator circuits Hybrid circuit Universal Voltage Thermoelectric sensor
• Palabras claves:Aln; Gan; Mos-hemts; Dieléctrico de compuerta; Contacto óhmico; Pasivación
• Keywords:Aln; Gan; Mos-hemts; Gate dielectric; Ohmic contact; Passivation