Resumen

Este artículo presenta un panorama completo del estado actual de la tecnología y de los próximos avances que se prevén. Se revisan las tendencias de escalado VLSI y los avances tecnológicos en el contexto de las tecnologías sub-10-nm, así como los enfoques de modelado de dispositivos asociados y se consideran modelos compactos de estructuras de transistores. A medida que la tecnología se adentra en el régimen nanométrico, los dispositivos semiconductores se enfrentan a numerosos efectos de canal corto. La tecnología CMOS a granel se está desarrollando e innovando para superar estas limitaciones mediante la introducción de (i) nuevas tecnologías y nuevos materiales y (ii) nuevas arquitecturas de transistores. Se examinan impulsores tecnológicos como las tecnologías de compuerta metálica/de alto k, SOI de cuerpo ultrafino, Ge-on-insulator (GOI), semiconductores AIII-BV y transistores de ingeniería de banda (SiGe o Strained Si-channel) con canales de alta movilidad de portadora. Se examinan las estructuras de dispositivos no clásicos, como las nuevas estructuras de transistores de puertas múltiples, incluidos los transistores de efecto de campo de puertas múltiples, los MOSFET FD-SOI, los CNTFET y los SET, como posibles sucesores de los dispositivos CMOS convencionales y los FinFET. Se presta especial atención a los FET de puerta perimetral y a los FET de nanohilos y nanohojas, respectivamente, como futuros sustitutos de los FinFET. En vista de ello, se estudia el modelado compacto de los transistores CMOS a granel y los transistores de puertas múltiples, así como los modelos BSIM y PSP de puertas múltiples, los MOSFET FD-SOI, los CNTFET y el modelado SET.

• Materias:Ingeniería electrónica Redes Inalámbricas Arquitectura informática Sistemas de comunicación Informática Procesamiento de datos
• Subjects:Electronic engineering Wireless Networks Computer architecture Communication systems Computing Data processing
• Palabras claves:mosfets soi, enfoques de modelado de dispositivos asociados, tecnología cmos bulk, estructuras de dispositivos no clásicos, transistores cmos bulk, dispositivos cmos convencionales, estado actual de la tecnología, próximos reemplazos de la corriente principal, estructuras de transistores de puerta, nuevas arquitecturas de transistores
• Keywords:soi mosfets, associated device modeling approaches, bulk cmos technology, nonclassical device structures, bulk cmos transistors, conventional cmos devices, current technology status, forthcoming mainstream replacements, gate transistor structures, new transistor architectures