Resumen

Se busca constantemente la mejora de la eficiencia de las células solares con el mínimo coste adicional posible, y esto se consigue a menudo en pasos porcentuales incrementales. Entre una serie de alternativas, los revestimientos antirreflectantes y el texturizado de superficies son las más destacadas. En este artículo se presenta un método alternativo de texturización del silicio cristalino en un intento de mejorar la eficacia de la transmisión de fotones a través de la superficie y la captación en la masa. El método se basa en el grabado anisotrópico del silicio a granel y sólo requiere una máscara de óxido y dos pasos de grabado con una solución acuosa de KOH o TMAH. La textura de la superficie consiste en cavidades semiesféricas lisas, que no exigen una máscara litográfica ni intrincados procesos tecnológicos para obtener las cavidades semiesféricas. Este método puede aplicarse para aumentar el área de perfil de la superficie frontal originalmente plana expuesta a la luz y, en consecuencia, aumentar la anchura efectiva de la región de agotamiento. Esto último implica una mayor probabilidad de captación de fotones, contribuyendo a la mejora de la eficiencia de conversión del dispositivo. La transmitancia de la célula solar de silicio texturizado no inclinado bajo pequeños ángulos de incidencia solar al amanecer y al atardecer mejora en comparación con una superficie plana, aumentando la fotocorriente.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:adición del mínimo coste posible, ángulos de incidencia solar pequeños, método de texturizado alternativo, superficie frontal plana, pasos porcentuales incrementales, procesos tecnológicos intrincados, máscara de óxido única, cavidades semiesféricas lisas, silicio texturizado no inclinado, método
• Keywords:minimum possible cost addition, small solar incidence angles, alternative texturing method, flat frontal surface, incremental percentage steps, intricate technology processes, single oxide mask, smooth hemispherical cavities, textured nontilted silicon, method