Resumen

En este documento, proponemos un nuevo tipo de transistor de efecto de campo de túnel de triple entrada (Ti-TFET) que puede realizar de manera compacta la función lógica de Mayoría-No con un solo transistor. Presenta un canal en forma de T ingenioso y tres compuertas de polarización independientes depositadas y patroneadas en sus lados izquierdo, derecho y superior, lo que mejora considerablemente la capacidad de control electrostático entre cualquier par de compuertas de las tres compuertas en el canal del dispositivo y, por lo tanto, aumenta su corriente de encendido. La densidad de corriente total y la distribución de bandas de energía en diferentes condiciones de polarización se analizan en detalle mediante simulaciones TCAD. La corriente de encendido, la corriente de fuga y la relación de corriente de encendido/apagado se optimizan eligiendo la función de trabajo y el grosor del cuerpo apropiados. Los resultados de las simulaciones TCAD verifican las características esperadas de los Ti-TFET propuestos en diferentes estados de funcionamiento. Los Ti-TF

• Materias:Convertidor Transistor Memristor Sobrecorriente Inversor
• Subjects:Converter Transistor Memristor Overcurrent Inverter
• Palabras claves:Propuesto; Ti-TFET; Función lógica; Compuertas; Densidad de corriente; Simulaciones TCAD
• Keywords:Proposed; Ti-TFET; Logic function; Gates; Current density; TCAD simulations