Resumen

La transición metal-aislante (MIT) en óxidos fuertemente correlacionados ha atraído una atención considerable por parte de investigadores tanto teóricos como experimentales. Entre los óxidos fuertemente correlacionados, el dióxido de vanadio (VO2) ha sido ampliamente estudiado en la última década debido a un cambio brusco y reversible en sus propiedades ópticas, eléctricas y magnéticas a aproximadamente 341 K, lo que sería posible y prometedor para desarrollar dispositivos funcionales con tecnología avanzada utilizando MITs. Sin embargo, dar el paso hacia una comercialización exitosa requiere la comprensión exhaustiva de los mecanismos de las MIT, lo que nos permitiría manipular la naturaleza de las transiciones. En este sentido, recientemente se han investigado intensamente las estructuras cuasi unidimensionales (cuasi-1D) de VO2 debido a su atractiva geometría y propiedades físicas únicas para observar nuevos aspectos de las transiciones en comparación con sus homólogos a granel. Por lo tanto, en esta revisión, abordaremos los recientes avances de la investigación en el desarrollo de diversos enfoques para la modificación de MITs en estructuras cuasi-1D VO2. Además, revisaremos estudios recientes sobre la realización de nuevos dispositivos funcionales basados en estructuras VO2 cuasi-1D para una amplia gama de aplicaciones, como un sensor de gas, un sensor de deformación flexible, un interruptor eléctrico, una memoria térmica y una memoria eléctrica no volátil con resistencia múltiple.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:estructuras cuasi-1d vo2, sensor de deformación flexible, memoria eléctrica no volátil, dispositivos funcionales novedosos, avances recientes en investigación, propiedades físicas únicas, mits, óxidos, transiciones, mecanismos mit
• Keywords:quasi-1d vo2 structures, flexible strain sensor, nonvolatile electrical memory, novel functional devices, recent research progress, unique physical properties, mits, oxides, transitions, mit mechanisms