Resumen

El transistor de película fina (TFT) de ZnO crecido por pulverización catódica de magnetrón rf en atmósfera de Ar/O2 muestra unas características de apagado inferiores a las del TFT de ZnO crecido por otros métodos. Pensamos que las reacciones entre el Zn y el O2 podrían producir defectos responsables del mal comportamiento de apagado. Para resolver este problema, estudiamos el crecimiento por sputtering en atmósfera de Ar/CO2 a 450°C. Durante el crecimiento por sputtering, modulamos la polarización CC del sustrato para controlar el suministro de iones al sustrato. Tras el crecimiento, el ZnO se recoció en gas CO2 y O2. Con estos métodos, nuestro transistor de capa fina de ZnO de puerta inferior mostró una movilidad de 4,7 cm2/Vseg, una relación de encendido/apagado de 4 × 10 6 y un voltaje umbral de -2 V.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:transistor de pelicula, v voltaje umbral, substrato dc bias, crecimiento, atmosfera co2, atmosfera o2, gas o2, vsec movilidad, zno tft, gate zno
• Keywords:film transistor, v threshold voltage, substrate dc bias, growth, co2 atmosphere, o2 atmosphere, o2 gas, vsec mobility, zno tft, gate zno