Resumen

Presentamos un transistor de película fina (TFT) totalmente impreso sobre un sustrato de poliimida con respuesta de transconductancia lineal. El TFT se basa en nuestra solución purificada de nanotubos de carbono de pared simple (SWCNT) que consiste principalmente en nanotubos de carbono semiconductores (CNT) con pocas impurezas metálicas. El TFT totalmente impreso presenta una elevada relación ON/OFF de alrededor de 103 y una transconductancia independiente del sesgo en un determinado intervalo de sesgo de puerta. Esta propiedad de transconductancia independiente del sesgo difiere de la de los transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) convencionales debido a la estructura de banda especial y a la densidad de estado (DOS) unidimensional (1D) confinada cuánticamente de los CNT. La transconductancia independiente de la polarización promete linealidad de modulación para la electrónica analógica.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles
• Palabras claves:tft, transconductancia independiente, cierto rango de bias de puerta, propiedad de transconductancia independiente, respuesta de transconductancia lineal, bajas impurezas metálicas, estructura de banda especial, nanotubo de carbono amurallado, cnts, bias
• Keywords:tft, independent transconductance, certain gate bias range, independent transconductance property, linear transconductance response, low metal impurities, special band structure, walled carbon nanotube, cnts, bias