Resumen

Presentamos la fabricación de transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN con tampón multi-MgxNy/GaN. En comparación con los dispositivos HEMT convencionales con un tampón de GaN de baja temperatura, este nuevo diseño de tampón permite reducir la corriente de fuga de puerta y de fuente-drenaje. En consecuencia, la movilidad de los electrones fue mayor en el dispositivo propuesto debido a la reducción de la densidad de defectos y la correspondiente mejora de la calidad cristalina como resultado del uso del tampón multi-MgxNy/GaN.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:tampón gan, transistores gan de alta movilidad electrónica, dispositivos hemt convencionales, corriente de fuga de drenaje, nuevo diseño de tampón, tampón gan de temperatura, mgxny, calidad cristalina, densidad de defectos, movilidad electrónica
• Keywords:gan buffer, gan high electron mobility transistors, conventional hemt devices, drain leakage current, new buffer design, temperature gan buffer, mgxny, crystalline quality, defect density, electron mobility