Resumen

Se ha llevado a cabo la investigación del transistor de efecto de campo de diamante de compuerta de Zr con capas dieléctricas de SiNx (SD-FET). El SD-FET funciona normalmente en modo de agotamiento con un canal de tipo p, cuya densidad de portadores en lámina y movilidad de huecos se evalúan en 2,17 × 1013 cm-2 y 24,4 cm2-V-1-s-1, respectivamente. Las propiedades de salida y transferencia indican la conservación del canal de conducción gracias a la capa dieléctrica de SiNx, lo que puede explicarse por la unión de interfaz de C-N. Se ha aplicado al dispositivo una tensión de hasta -200 V y no se ha observado ninguna avería. A modo de comparación, también se fabrica otro FET tradicional de canal superficial (SC-FET).

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:fet, fet de canal de superficie tradicional, n. alta tensión, capa dieléctrica sinx, campo de diamante de la puerta, densidad de portadores de la hoja, canal de conducción, modo de agotamiento, capas dieléctricas, transistor de efecto
• Keywords:fet, traditional surface channel fet, n. high voltage, sinx dielectric layer, gate diamond field, sheet carrier density, conduction channel, depletion mode, dielectric layers, effect transistor