Resumen

Se introdujo un proceso de solución fácil para la preparación de películas delgadas de IGZO mediante un método de descomposición metal-orgánica (MOD). La tinta IGZO se sintetizó mezclando las soluciones de acetilacetonato de galio [Ga(C5H7O2)3], acetilacetonato de zinc hidrato [Zn(C5H7O2)2-xH2O] disuelto en etanol, y acetilacetonato de indio [In(C5H7O2)3] disuelto en tetrahidrofurano (THF). Las películas depositadas mediante spin-coating se recocieron a una temperatura de proceso moderada (≤500°C). Se estudió la relación entre el rendimiento del dispositivo y la temperatura posterior al recocido. El resultado demostró que la movilidad del IGZO TFT aumentaba a medida que se incrementaba la temperatura de recocido. Basándose en el análisis del estado de O 1s, la temperatura de recocido puede influir en el número de vacantes de oxígeno para afectar aún más a la concentración de portadores. Además, se compararon los dispositivos TFT IGZO con diversas proporciones molares de Ga para demostrar la influencia de la adición de Ga. El resultado demostró que las movilidades saturadas (μe) disminuían y la VTH se desplazaba hacia un voltaje positivo a medida que aumentaba la proporción molar de Ga. Es probable que el Ga pueda ofrecer enlaces químicos más fuertes entre el metal y el oxígeno que redujeron la concentración de portadores libres y, por tanto, ayudaron a reducir la VTH. Como resultado, el rendimiento optimizado del TFT IGZO con una movilidad de 3,4 cm2V-1s-1 demostró que el proceso MOD era un enfoque prometedor.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:resultado, igzo tft, varias relaciones molares ga, relación molar ga, dispositivos igzo tft, declaración o 1s, proceso de solución fácil, temperatura de proceso moderada, enlaces químicos más fuertes, hidrato de acetilacetonato de zinc
• Keywords:result, igzo tft, various ga molar ratios, ga molar ratio, igzo tft devices, o 1s statement, facile solution process, moderate process temperature, stronger chemical bonds, zinc acetylacetonate hydrate