Se presenta la integración numérica de la ecuación de difusión del calor aplicada al Bi/Si-heterosistema para tiempos mayores que el tiempo característico del acoplamiento electrón-fonón. Comparando los resultados numéricos con los datos experimentales, se demuestra que la resistencia térmica límite de la interfaz puede determinarse directamente a partir del tiempo de decaimiento característico del enfriamiento superficial observado, y puede omitirse una simulación elaborada de la evolución temporal de la temperatura superficial. Además, la solución numérica muestra que la temperatura del sustrato sólo varía de forma despreciable con el tiempo y puede considerarse constante. En este caso, puede hallarse una solución analítica. Un examen minucioso de la solución analítica muestra que el comportamiento de enfriamiento de la superficie depende en gran medida de la distribución inicial de la temperatura, que puede utilizarse para estudiar las propiedades de transporte de energía en retardos cortos tras la excitación.
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