Resumen

La deposición de la capa aislante de poli(4-fenol vinílico) se lleva a cabo aplicando la técnica de revestimiento por rotación sobre un sustrato de GaAs de tipo p, con el fin de crear una estructura de metal-óxido-semiconductor (MOS) de Al/poli(4-fenol vinílico)/p-GaAs. La temperatura se fijó entre 80 y 320 K y en el estudio se examinaron las características corriente-voltaje (I-V) de la estructura. Los valores del factor de idealidad (n) y la altura de barrera ( ϕ b ) hallados en el experimento oscilaron entre 3,13 y 0,616 eV (320 K) y 11,56 y 0,147 eV (80 K). Comparando la teoría de emisión de campo termoiónico y la teoría de emisión termoiónica, el comportamiento del factor de idealidad dependiente de la temperatura mostró que la teoría de emisión de campo termoiónico es más válida que esta última. La energía de tunelización calculada fue de 96 meV.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Photoelectric effect
• Palabras claves:teoría de emisión termoiónica de campo, comportamiento dependiente del factor de idealidad, energía de tunelización calculada, técnica de recubrimiento por espín, teoría de emisión termoiónica, sustrato tipo gaas, estructura, metal gaas, factor de idealidad, altura de barrera
• Keywords:thermionic field emission theory, dependent ideality factor behavior, calculated tunneling energy, spin coating technique, thermionic emission theory, type gaas substrate, structure, gaas metal, ideality factor, barrier height