Las resistencias térmicas interfaciales entre materiales heterogéneos siguen siendo un tema desafiante ya que el mecanismo para explicarlo cuantitativamente no está claro a pesar de su importancia. Proponemos un modelo de Monte Carlo (MC) para estudiar los comportamientos de dispersión elástica e inelástica de fonones interfaciales para superredes compuestas de materiales de Si y Ge, que reduce sustancialmente la cantidad de cálculos. En particular, por debajo de las temperaturas de Debye, la solución de dinámica molecular (DM) no es suficientemente precisa para los semiconductores debido a los errores de cuantización. En este trabajo se investigan por separado las conductividades térmicas y las rectificaciones térmicas de superredes de Si/Ge y Ge/Si con diferentes periodos a temperaturas inferiores a 200 K.
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