Los nanocables (NWs) de SiC con forma de bambú tienen formas geométricas específicas, que tienen el potencial de suprimir la conductividad térmica mediante la dispersión de fonones en los límites. En este trabajo se estudian los comportamientos de transporte de fonones en las redes cristalinas de 3C-SiC, 4H-SiC y 6H-SiC mediante el método Monte Carlo (MC), incluyendo la dispersión de impurezas, la dispersión de límites y la dispersión Umklapp. Los tiempos de relajación fonónica para la dispersión Umklapp (U) para los tres politípos de SiC mencionados se calculan a partir de los espectros fonónicos respectivos, que no se han descrito en la bibliografía. También se estudian la dispersión difusa en el límite y la rectificación térmica con diferentes relaciones de aspecto a distintas temperaturas. Se ha observado que las conductividades térmicas de los politípos de SiC tipo bambú pueden reducirse en dos órdenes de magnitud en comparación con los valores a granel debido a las contribuciones de la dispersión en los límites. En comparación con los NWs de 4H-SiC y 6H-SiC tipo bambú, el 3C-SiC tiene la mayor tasa de relajación por dispersión en U y la mayor tasa de dispersión en el límite, lo que conduce a sus conductividades térmicas más bajas. La conductividad térmica en la dirección positiva es mayor que en la dirección negativa debido a su menor tasa de relajación por dispersión en el límite.
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