Las nanopartículas de ZnO se depositaron con éxito en un sustrato de silicio poroso (PSi) mediante el método de recubrimiento por rotación. Para preparar el PSi, se empleó el grabado electroquímico para modificar la superficie del Si. Se utilizó acetato de zinc dihidratado como material de partida en la preparación de la solución sol-gel de ZnO. Se investigaron los tratamientos posteriores al recocido sobre las morfologías y las propiedades de fotoluminiscencia (PL) de las películas delgadas de ZnO. Los resultados de la microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (FESEM) indican que las películas delgadas compuestas por nanopartículas de ZnO se distribuyeron uniformemente sobre el PSi. El tamaño medio de las nanopartículas de ZnO aumenta con el incremento de la temperatura de recocido. El análisis de microscopía de fuerza atómica (AFM) revela que las películas delgadas de ZnO recocidas a 500°C tenían la superficie más lisa. Los espectros de PL muestran dos picos que corresponden completamente al ZnO nanoestructurado y al PSi. Estos resultados indican que las nanoestructuras de ZnO crecidas sobre PSi son prometedoras para su aplicación como dispositivos emisores de luz.
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