Resumen

Las mejoras en las características de los materiales de los semiconductores de banda prohibida permiten el uso de dispositivos de potencia de alta temperatura, alto voltaje y alta velocidad de conmutación. Otra buena razón para crear nuevos dispositivos de convertidores de potencia de Si es que los modelos anteriores tienen un bajo rendimiento. La implementación de nuevos convertidores electrónicos de potencia supone una alta eficiencia energética pero un uso más lógico de la electricidad. En este momento, el dióxido de titanio y el nitruro de galio son los materiales semiconductores con más posibilidades debido a sus grandes características, su tecnología establecida y el suministro suficiente de componentes en bruto. Este estudio se centra en ofrecer una visión profunda de los últimos avances en la fabricación de componentes electrónicos de Si-C y de alta potencia y en mostrar todo el alcance de la nueva generación de productos en desarrollo.

• Materias:Análisis de suelos Hormigón Construcciones de hormigón Asfalto
• Subjects:Soil testing Concrete Concrete construction Asphalt
• Palabras claves:convertidor de potencia si, dispositivo convertidor de potencia, componentes electrónicos alimentados, nueva potencia si, velocidad de conmutación rápida, características del bandgap, material semiconductor prospectivo, alta eficiencia energética, uso de la electricidad, potencia novedosa
• Keywords:si power converter, power converter device, powered electronic components, new si power, fast switch rate, characteristics of bandgap, prospective semiconductor material, high energy efficiency, use of electricity, novel power