Resumen

Este trabajo presenta un mecanismo de transporte de corriente de diodos de Pd metal-semiconductor-metal (MSM) de GaAs con un material de contacto Schottky formado por la mezcla intencionada de SiO2 en un metal de Pd. Se analiza el proceso de emisión Schottky, donde se considera la emisión termoiónica tanto sobre la barrera metal-semiconductor como sobre la barrera aislante-semiconductor en el transporte de portadores de un contacto mixto de diodos MSM de Pd y SiO2 (MMO). Se tiene en cuenta el descenso de la fuerza de la imagen. Además, al aumentar la tensión aplicada, se considera la recombinación de portadores. Los datos de la simulación se presentan para explicar claramente los resultados experimentales.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:pd metal, barreras semiconductoras, contacto de pd, mecanismo de transporte de corriente, mecanismo de pd, material de contacto schottky, proceso de emisiones schottky, tensión aplicada, emisiones termoiónicas, recombinación de portadores
• Keywords:pd metal, semiconductor barriers, contact of pd, current transport mechanism, mechanism of pd, schottky contact material, schottky emissions process, applied voltage, thermionic emissions, carrier recombination