Biblioteca122.294 documentos en línea

Artículo

An Analytical Gate-All-Around MOSFET Model for Circuit SimulationUn modelo analítico de MOSFET de puerta completa para la simulación de circuitos

Resumen

Se desarrolla un modelo genérico compacto basado en la carga para MOSFETs de puerta cuádruple (QG) y de puerta cilíndrica no dopados (ligeramente dopados) utilizando Verilog-A. Este modelo se basa en la solución exacta de la ecuación de Poisson con longitud de escala. Las corrientes fundamentales de CC y de carga de los MOSFETs QG se calculan física y analíticamente. Además, como el modelado de Verilog-A es portátil para diferentes simuladores de circuitos, el esquema de modelado proporciona una herramienta útil para los diseñadores de circuitos.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento