Resumen

Los circuitos integrados de radiofrecuencia basados en silicio se están volviendo cada vez más competitivos en un amplio rango de frecuencia de banda ancha. Un componente esencial de estos CIs es el transformador en chip (integrado). Se utiliza ampliamente en comunicaciones móviles, circuitos integrados de microondas, amplificadores de bajo ruido, mezcladores activos y baluns. Este artículo trata sobre el diseño, la simulación y el análisis de nuevas configuraciones fractales de las bobinas primarias y secundarias de los transformadores integrados. Se presentan transformadores apilados integrados, que utilizan curvas fractales (Hilbert, Peano y von Koch) para formar los devanados primarios y secundarios. De esta manera, el área ocupada en el chip es menor y se reducen una serie de procesos litográficos. Se investigan las prestaciones de los transformadores integrados propuestos con simulaciones electromagnéticas de hasta 20 GHz. También se describe la influencia del orden de las curvas fractales y el ancho de las líneas conductoras en la induct

• Materias:Corriente continua Comportamiento electromecánico Circuito de microondas Rendimiento dinámico Transformadores
• Subjects:Direct current Electromechanical behavior Microwave circuit Dynamic performance Transformers
• Palabras claves:Silicio; Radiofrecuencia; Circuitos integrados; Transformador en chip; Configuraciones fractales; Simulaciones electromagnéticas
• Keywords:Silicon; Radio-frequency; Integrated circuits; On-chip transformer; Fractal configurations; Electromagnetic simulations