Biblioteca122.739 documentos en línea

Artículo

A 0.8V 0.23nW 1.5ns Full-Swing Pass-Transistor XOR Gate in 130nm CMOSUn pase de transistores XOR de amplitud total de 0.8V, 0.23nW y 1.5ns en CMOS de 130nm.

Resumen

Se propone una topología de circuito eficiente en energía para implementar una compuerta XOR de transistor de paso CMOS de baja tensión de 2 entradas. Este diseño tiene como objetivo minimizar la disipación de energía y reducir el número de transistores al mismo tiempo que se reduce el retardo de propagación. La compuerta XOR utiliza seis transistores para lograr un diseño de circuito compacto y fue fabricada utilizando el proceso CMOS de 130nm de IBM. El rendimiento del circuito XOR fue validado frente a otros diseños de compuertas XOR a través de simulaciones utilizando el mismo proceso CMOS de 130nm. El área del circuito central es solo de aproximadamente 56m² con un retardo de propagación de 1.5659ns y una disipación de energía de 0.2312nW a un voltaje de suministro de 0.8V. La implementación propuesta de seis transistores se compara favorablemente con otros diseños de compuertas XOR existentes.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento