Resumen

La memoria de acceso aleatorio magneto-resistiva basada en torque de transferencia de espín (STT-MRAM) es un candidato prometedor para la memoria universal que podría reemplazar las formas tradicionales de memoria. Se espera que proporcione operación de alta velocidad, escalabilidad, baja disipación de energía y alta resistencia. La tecnología de conmutación de MRAM ha evolucionado desde la técnica de conmutación magnética inducida por campo (FIMS) hasta la técnica de conmutación por torque de transferencia de espín (STT). Además, la tecnología de material que induce anisotropía magnética perpendicular (PMA) facilita la operación de baja potencia mediante la reducción de la densidad de corriente de conmutación. En este artículo, se revisa la modelización de las uniones túnel magnéticas (MTJs). Los métodos de modelización y los modelos de las características de las MTJs se clasifican en dos grupos, macromodelos y modelos de comportamiento, y se comparan las características más importantes de las MTJs, la resistencia de las MTJs depend

• Materias:Transferencia de energía Semiconductores Amplificador de potencia Filtro de paso de banda Sistemas fotovoltaicos
• Subjects:Energy transfer Semiconductors Power amplifier Band pass filter Photovoltaic systems
• Palabras claves:Torque de transferencia de espín; Memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva; STT-MRAM; Uniones túnel magnético; Resistencia de MTJ; Comportamiento de conmutación
• Keywords:Spin-transfer torque; Magnetoresistive random access memory; STT-MRAM; Magnetic tunnel junctions; MTJ resistance; Switching behavior