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An Investigation into CIGS Thin-Films Solar Cell P2 Layer Scribing Depth and Width Using Different Laser Process ParametersUna investigación sobre la profundidad y la anchura del trazado de la capa P2 de las células solares de capa fina de CIGS utilizando diferentes parámetros del proceso láser

Resumen

Este estudio tratará sobre el sistema de procesamiento láser UV (355 nm) como portador. Se estudió la característica de aislamiento del electrodo utilizando la formación directa del láser para la tecnología de células solares CIGS capa P2 de acero inoxidable. Se exploró el impacto de este proceso en la forma de sustrato de acero inoxidable P2 tamaños de la película utilizando su láser diferente posición de enfoque, la densidad de energía, y las velocidades de exploración. De acuerdo con los resultados del experimento, los resultados del trazado son de línea recta y de mayor anchura bajo perpendicularidad negativa y perpendicularidad positiva y las velocidades de escaneo láser a 10~1000 mm/s de anchura de línea inferior alrededor de 0,96 μm~1,07 μm. Los resultados del experimento confirman que el aparato láser es eficaz cuando se aplica a una capa P2 de células solares CIGS de acero inoxidable.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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