Resumen

Se investigan las propiedades estructurales, mecánicas y electrónicas del GaN ortorrómbico (Pnma-GaN) a presión ambiente utilizando el método de cálculo por primeros principios con el esquema pseudopotencial ultrasuave. Las constantes elásticas y los cálculos fonónicos revelan que el Pnma-GaN es mecánica y dinámicamente estable a presión ambiente. El módulo de Young calculado del Pnma-GaN es de 170 GPa, lo que equivale a tres quintas partes del de la wurtzita-GaN. El estudio de la estructura electrónica muestra que el Pnma-GaN es un semiconductor directo con una brecha de banda de 1,847 eV. El cálculo anisotrópico muestra que la wurtzita-GaN tiene una anisotropía elástica menor que la del Pnma-GaN en el módulo de Young. Además, cuando la composición de aluminio aumenta de 0 a 0,063 en la aleación, la brecha de banda disminuye inicialmente y aumenta después para Pnma-Ga1-xAl xN, mientras que, para wurtzita-Ga1-x Al xN, la brecha de banda aumenta con el aumento de la composición x. Debido a la característica estructural porosa, también se puede esperar que Pnma-GaN sea un buen material de almacenamiento de hidrógeno.

• Materias:Bioquímica Reacciones químicas Química analítica Química de los alimentos Química sostenible
• Subjects:Biochemistry Chemical reactions Analytical chemistry Food chemistry Sustainable chemistry
• Palabras claves:gan, pnma, wurtzita, presión ambiente, brecha de banda, buen material de almacenamiento de hidrógeno, estudio de estructura electrónica, ga1-x al xn, aumentos de brecha de banda, módulo joven calculado
• Keywords:gan, pnma, wurtzite, ambient pressure, band gap, good hydrogen storage material, electronic structure study, ga1−x al xn, band gap increases, calculated young modulus