Resumen

Los informes hasta la fecha de los GaN HEMTs sometidos a estrés de polarización directa de puerta incluyen diversos grados de degradación. Informamos sobre una tecnología GaN HEMT extremadamente robusta que sobrevivió, en contra de la sabiduría convencional, a una alta polarización directa de puerta (+6V) y corriente (>1.8A/mm) durante más de 17.5 horas, mostrando solo un ligero cambio en la característica de la diodo de puerta, una pequeña disminución en la corriente de drenaje máxima, con solo un desplazamiento positivo de 0.1V en el umbral de voltaje, y, notablemente, una tensión de ruptura persistente que supera los 200V.

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Degradación por estrés de polarización de la compuerta; GaN HEMTs; Polarización directa de la compuerta; Degradación; Voltaje de ruptura; Desplazamiento del voltaje umbral
• Keywords:Gate bias stress; GaN HEMTs; Forward gate bias; Degradation; Breakdown voltage; Threshold voltage shift