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Artículo

Zinc-Based Semiconductors/Polymer Thin Films Junction for Photovoltaic ApplicationUnión de semiconductores y películas finas de polímeros a base de zinc para aplicaciones fotovoltaicas

Resumen

Se depositaron películas delgadas de semiconductores ZnO y ZnTe sobre sustratos de vidrio conductor ITO mediante técnicas de pulverización catódica y electrodeposición, respectivamente. Por otra parte, se prepararon películas delgadas de electrolito polimérico sólido conductor de iones mediante la técnica de colada en solución. El polímero es una mezcla de 50 % en peso de óxido de polietileno y 50 % en peso de hitosan. Para proporcionar el par redox (I-/I3-), el polímero se complejó con yoduro de amonio NH4I añadiendo unos pocos cristales de yodo I2. El yoduro de amonio NH4I se añadió a la solución en diferentes cantidades (wt%) en relación al peso para suministrar los portadores de carga para los electrolitos poliméricos. La conductividad iónica máxima del electrolito polimérico fue de 1,18×10-5 S cm-1 a temperatura ambiente. Las propiedades estructurales y ópticas de las películas delgadas semiconductoras se caracterizaron mediante difractómetro de rayos X y espectrofotómetro UV-Vis. La DRX muestra estructuras cristalinas para las películas delgadas de ZnO y ZnTe. El UV-Vis muestra huecos de energía directa EZnO de 3,1 eV y EZnTe de 2,2 eV. La película de polímero se intercaló entre los semiconductores ZnO y ZnTe para formar una célula fotovoltaica de doble unión ITO/ZnO/polímero/ZnTe/ITO, y se estudiaron sus propiedades fotovoltaicas. La tensión de circuito abierto Voc, la densidad de corriente de cortocircuito Jsc y el factor de llenado FF más altos de las células fabricadas son de 0,5 V, 55 μA cm-2 y 27%, respectivamente.

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