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Porous Silicon and Indium Doped Zinc Oxide Junctions: Synthesis, Characterization, and Application to Electroluminescent DevicesUniones de Silicio Poroso y Óxido de Zinc Dopado con Indio: Síntesis, caracterización y aplicación a dispositivos electroluminiscentes

Resumen

Informamos de la obtención de dispositivos electroluminiscentes (ELD) a partir de uniones de silicio poroso (PS) y óxido de zinc dopado con indio (ZnO:In). El PS presentó fotoluminiscencia (PL) en la región visible del espectro electromagnético. La película delgada de ZnO:In se obtuvo mediante la técnica de recubrimiento por inmersión. Las imágenes SEM y las medidas IR mostraron la incorporación del ZnO:In en la estructura del PS. Una vez obtenido, el dispositivo se caracterizó óptica y eléctricamente. El ELD mostró emisión en la región visible (450-850 nm) e infrarroja (900-1200 nm), donde estaba eléctricamente polarizado. La emisión visible se detectó como puntos luminiscentes en la superficie. La caracterización eléctrica se llevó a cabo mediante curvas corriente-voltaje (I-V). Las curvas I-V mostraron un comportamiento rectificador. Se relacionó el apagado de la EL con el proceso que tiene lugar en la PS cuando se sumerge en la solución precursora del ZnO:In.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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