Resumen

Se describen la fabricación y las características de los diodos emisores de luz de heterounión de nanocables de ZnO/p-GaN cultivados. Se cultivaron matrices de nanohilos de ZnO alineados verticalmente sobre un sustrato de p-GaN mediante deposición térmica de vapor químico en tubo de cuarzo. Las características de rectificación corriente-voltaje indican que se formó una unión p-n con una heteroestructura de n-nanohilos de ZnO/p-GaN. El pico de emisión electroluminiscente a temperatura ambiente a 425 nm se atribuyó al desplazamiento de banda en la interfaz entre el nanohilo de n-ZnO y el p-GaN y a la emisión relacionada con defectos del GaN; también se observó que existía una banda amarilla en la heterounión. Se atribuiría al nivel de defecto profundo en la heterounión.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanopartículas Nanocompuestos Nanocables
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanoparticles Nanocomposites Nanowires
• Palabras claves:nanocable de zno, pico de emisión electroluminiscente a temperatura ambiente, deposición térmica de vapor químico, matrices de nanocables de zno, nivel de defecto profundo, nanocable de zno crecido, heterounión gan, sustrato gan, unión n, tubo de cuarzo
• Keywords:zno nanowire, room temperature electroluminescent emission peak, thermal chemical vapor deposition, zno nanowire arrays, deep defect level, grown zno nanowire, gan heterojunction, gan substrate, n junction, quartz tube