Resumen

En este artículo se investiga la capacitancia cuántica de los transistores de efecto campo de grafeno bicapa con electrolito. El grafeno bicapa ha recibido una gran atención debido al hecho de que se puede abrir una brecha energética mediante dopaje químico o aplicando un campo eléctrico perpendicular externo. Así pues, esta extraordinaria propiedad puede aprovecharse para utilizar el grafeno bicapa como canal en transistores de efecto campo activados por electrolito. Se presenta la capacitancia cuántica del grafeno bicapa con un circuito equivalente y, basándose también en el modelo analítico, se presenta una solución numérica. Comenzamos modelando la DOS, seguida de la concentración de portadores en función de V en los regímenes degenerado y no degenerado. Para confirmar aún más este punto de vista, el modelo analítico presentado se compara con datos experimentales, y se informa de un acuerdo aceptable.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:modelo analítico, transistores de efecto, campo eléctrico perpendicular externo, campo de grafeno bicapa, electrolito, grafeno bicapa, capacitancia cuántica, acuerdo aceptable, grafeno bicapa, concentración de portadores
• Keywords:analytical model, effect transistors, external perpendicular electric field, bilayer graphene field, electrolyte, bilayer graphene, quantum capacitance, acceptable agreement, bilayer graphene, carrier concentration