Resumen

Los portadores en un nanotubo de carbono (CNT), como en cualquier nanoestructura cuasidimensional (Q1D), tienen un espectro de energía analógico sólo en la dirección cuasilibre, mientras que las otras dos direcciones cartesianas están limitadas cuánticamente, lo que da lugar a un espectro de energía digital (cuantizado). Presentamos las características más destacadas de la movilidad y la velocidad de saturación que controlan el transporte de carga en un canal semiconductor de CNT de pared simple (SWCNT). La velocidad de deriva final en SWCNT debida a la corriente de alto campo eléctrico se basa en la función de distribución asimétrica que convierte la aleatoriedad en campo cero en corriente en un campo eléctrico muy alto. En concreto, demostramos que una mayor movilidad en un SWCNT no conduce necesariamente a una mayor velocidad de saturación, que está limitada por la velocidad intrínseca media en función de los parámetros de banda. Se encuentra que la velocidad intrínseca es la velocidad térmica apropiada en el régimen no degenerado, aumentando con la temperatura, pero independiente de la concentración de portadores. Sin embargo, esta velocidad intrínseca es la velocidad de Fermi que es independiente de la temperatura, pero depende fuertemente de la concentración de portadores. La velocidad que satura en un campo eléctrico alto puede ser inferior a la velocidad intrínseca debido al inicio de una emisión cuántica. En un SWCNT, la movilidad también puede volverse balística si la longitud del canal es comparable o inferior al camino libre medio.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Bioengineering Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system
• Palabras claves:campo eléctrico elevado, velocidad intrínseca, swcnt, concentración de portadores, espectro energético analógico, velocidad térmica adecuada, función de distribución asimétrica, mayor velocidad de saturación, camino libre medio, velocidad intrínseca media
• Keywords:high electric field, intrinsic velocity, swcnt, carrier concentration, analog energy spectrum, appropriate thermal velocity, asymmetrical distribution function, higher saturation velocity, mean free path, mean intrinsic velocity