Resumen

Se describe el desarrollo y la aplicación de películas de óxido de silicio microcristalino hidrogenado de tipo n (n μc-SiO:H) en células solares micromorfas de óxido de silicio amorfo hidrogenado/silicio microcristalino hidrogenado (a-SiO:H/μc-Si:H). Las películas n μc-SiO:H con alto bandgap óptico y bajo índice de refracción podían obtenerse cuando se aumentaba la relación entre el caudal de dióxido de carbono (CO2) y el de silano (SiH4); sin embargo, se observó una contrapartida en la propiedad eléctrica. Aplicamos las películas n μc-SiO:H en la célula superior a-SiO:H e investigamos los cambios en el rendimiento de la célula con respecto a las propiedades eléctricas y ópticas de las películas. Se observó que todos los parámetros fotovoltaicos de las células solares de silicio micromorfo que utilizaban la capa superior n μc-SiO:H mejoraban con el aumento de la relación CO2/SiH4 hasta 0,23, donde se alcanzó la mayor eficiencia inicial de la célula del 10,7%. La mejora del voltaje en circuito abierto (Voc) se debió probablemente a una reducción del sesgo inverso en la conexión de la subcélula -n superior/p inferior- y una mejor unión de recombinación túnel contribuyó a la mejora del factor de llenado (FF). Además, los resultados de eficiencia cuántica (QE) también han demostrado la función de reflector intermedio de las películas n μc-SiO:H.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:sio, películas h, n μc, células solares, mejor unión de recombinación túnel, mayor eficiencia inicial de la célula, películas de óxido de silicio microcristalino, óxido de silicio amorfo, alto bandgap óptico, bajo índice de refracción.
• Keywords:sio, h films, n μc, solar cells, better tunnel recombination junction, highest initial cell efficiency, microcrystalline silicon oxide films, amorphous silicon oxide, high optical bandgap, low refractive index