Determination of the most reliable glass properties values by sciglass information system
Determinación de los valores de propiedades del vidrio más confiables por medio del Sistema de Información SciGlass
Las últimas versiones de las bases de datos de propiedades de los vidrios disponibles comercialmente son poderosas herramientas de predicción de dichas propiedades. Es posible predecir propiedades usando dos tipos de modelos: estadísticos y estructurales. La mayoría de los modelos estadísticos conocidos para predicción de propiedades del vidrio son polinomios obtenidos por aproximación de un conjunto de puntos de datos que pertenecen a un área de composición seleccionada.
Los modelos estructurales son algoritmos que permiten el cálculo de las propiedades del vidrio a partir de sus composiciones, con base en el conocimiento o suposiciones sobre una estructura de vidrio y la interacción química entre sus componentes.
Este documento es un artículo preparado por Oleg Mazurin (Thermex Company, San Petersburgo, Rusia) y Yuriy Gankin (MDL Information Systems, Burlington, MA, Estados Unidos).
El documento se encuentra alojado en el website de SciGlass – Glass Information System (Pegnitz, Alemania).
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Estudio de las propiedades térmicas de algunos vidrios y policristales de la forma A2BX4
Study of thermal properties of some glasses and polycrystals of the A2BX4 form
Las propiedades de calor específico, conductividad térmica y flujo de calor, fueron estudiadas en materiales policristalinos de la forma A2BX4, como: Cs2CoCl4, Cs2ZnI4, [N(CH3)4]2CoCl4 y (NH4)2CrO4, elaborados por los métodos de evaporación rápida y lenta, así como también en materiales vítreos como: SiO2: Al2O3: Sb2O3: CaO: Na2O: Cr2O3 y [N(CH3)4]2CoCl4: P2O5: Al2PO4: CaCO3 y la cerámica SiO2: Cr2O3: B2O3, obtenidos por el método de fusión.
Para analizar estas variables, se sometió cada uno de los compuestos a variaciones de temperatura en el rango de 260K a 370K a volumen constante, hecho que permitió registrar el comportamiento de las muestras frente al cambio de temperatura.
Con ayuda del análisis gráfico del calor específico, conductividad térmica y el flujo de calor en función de la temperatura, se lograron evidenciar las transiciones de fase y comportamiento anómalo experimentado por cada compuesto.
Así es que los policristales presentaron transición de fase inconmensurable a fase normal en 273K para Cs2ZnI4 y [N(CH3)4]2CoCl4, 290K para el compuesto (NH4)2CrO4 y la transición de fase conmensurable a inconmensurable a los 291K para el Cs2CoCl4, hecho que permitió diferenciar estos materiales de los vidrios.
También se registró en todos los materiales la transición a consecuencia del efecto Jahn–Teller, presentado a los 304K para Cs2ZnI4 y [N(CH3)4]2CoCl4, 310K para el (NH4)2CrO4, 286K para el Cs2CoCl4, y para los vidrios fue alrededor de 309.55K.
Al comparar los resultados obtenidos con los hallados según estudios publicados, para los mismos compuestos se encuentra que hay acuerdo entre éstos, aún cuando la técnica utilizada por ellos es distinta a la usada en este estudio.
Este documento es una tesis de maestría elaborada por Olga Lucía Medina Cruz, para obtener su título de Master of Science en Física en la Universidad de Puerto Rico (Mayagüez, Puerto Rico, 2005).
El documento se encuentra alojado en el website de la Oficina de Estudios Graduados UPRM-RUM, dependiente de la misma universidad.
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Crystallization and dielectric properties of 2SrTiO3-SiO2 glass
Cristalización y propiedades dieléctricas del vidrio de 2SrTiO3-SiO2
Los autores investigaron el proceso de cristalización y las propiedades dieléctricas de vidrios de 2SrTiO3-SiO2. Medidas de análisis térmico diferencial (DTA) muestran dos picos exotérmicos con calentamiento.
Las mediciones de rayos X identifican que el vidrio se cristaliza en SrTiO3 cúbico y Sr2TiSi2O8 tetragonal. Las energías de activación, las cuales fueron calculadas por la ecuación modificada de Ozawa para la cristalización de SrTiO3 y Sr2TiSi2O8, fueron de 4.99 eV y 5.68 eV, respectivamente. En las mediciones eléctricas, el comportamiento dieléctrico de alta temperatura está bien explicado por la conjunción de los procesos de cristalización que aparecen en los resultados de DTA.
Este documento es un artículo preparado por J.E. Kim, S.J. Kim, Y.S. Yang (School of Nanoscience and Technology, Department of Physic, Pusan National University, Pusan, Corea del Sur) y Kenichi Ohshima (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japón) para el Journal of the Korean Physical Society (Vol. 46, No 1, January 2005, pp. 163-166), publicación de la Korean Physical Society (Corea del Sur).
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