A Multi-Scale Simulation Study of Irradiation Swelling of Silicon Carbide
Estudio de simulación multiescala del hinchamiento por irradiación del carburo de silicio
Aunque el carburo de silicio (SiC) es un material estructural y de revestimiento con excelentes propiedades para la protección contra accidentes de reactores nucleares, cuando se expone a diversos ambientes como la irradiación de neutrones. Se generan defectos en el entramado en cantidades significativamente mayores en comparación con las concentraciones normales y donde posteriormente se evidencian comportamientos de daño por radiación (por ejemplo, hinchazón por radiación). Este documento presenta un estudio del efecto de la irradiación de neutrones sobre el hinchamiento del volumen de una película cúbica de SiC con 0,3 mm utilizando la combinación de dinámica molecular (MD) y teoría de velocidad (RT). La generación de defectos puntuales se modela con los métodos BC y MD, la evolución simple de los defectos puntuales se modela con la teoría RT, y la relación entre varios defectos puntuales y el exceso de volumen (es decir, tensión o hinchazón) se estudia mediante simulación MD.
Este estudio fue desarrollado por Chunyu Yin (Nuclear Power Institute of China, Chengdu, China), Baoqin Fu (Sichuan University, Chengdu, China), Yongjun Jiao, Zhengang Duan, Lei Wu (Nuclear Power Institute of China, Chengdu, China), Yu Zou (Sichuan University, Chengdu, China) y Shichao Liu (Nuclear Power Institute of China, Chengdu, China) para Materials (Vol. 15, núm. 9, p. 3008, 2022) una revista sobre ciencia e ingeniería de los materiales. Esta es una publicación de MDPI, una plataforma de revistas científicas de acceso abierto operada por MDPI Verein (Basilea, Suiza). Correo de contacto: [email protected]
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Moving Multiscale Modelling to the Edge: Benchmarking and Load Optimization for Cellular Automata on Low Power Microcomputers
Modelado multiescala al borde: evaluación comparativa y optimización de carga para autómatas celulares en microcomputadoras de baja potencia
Este artículo presenta una comparación del uso de dispositivos con altas capacidades computacionales, en este caso una estación de trabajo de dos procesadores con GPU NVidia RTX 2080ti, y dispositivos de borde: RaspberryPi 4B y NVidia Jetson Nano, para cálculos numéricos en el campo de la multiescala. modelado. El estudio presta especial atención al autómata celular (CA) y su comportamiento en dispositivos seleccionados. Sobre la base de los puntos de referencia realizados y las medidas de rendimiento recibidas fue propuesto un procedimiento de optimización de carga basado en min-max que opera en el borde. Este procedimiento permite optimizar la utilización de los recursos computacionales (dispositivos de borde y estación de trabajo) asegurando un mínimo tiempo de ejecución y/o consumo de energía. Los autores hacen además una descripción acerca de la aplicación práctica de este sistema de borde en la práctica industrial.
Este estudio fue desarrollado por Piotr Hajder y Łukasz Rauch (AGH University of Science and Technology, Kraków, Poland) para Processes (Vol. 9, núm. 12, p. 2225, 2021), una revista especializada en procesos químicos, biológicos, energéticos, ambientales,farmacéuticos y de los diferentes campos de la ingeniería. Esta es una publicación de MDPI, una plataforma de revistas científicas de acceso abierto operada por MDPI Verein (Basilea, Suiza). Correo de contacto: [email protected]
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